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TK6Q60W,S1VQ
- Modello di prodotti:
- TK6Q60W,S1VQ
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N CH 600V 6.2A IPAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15937 Pieces
- Scheda dati:
- TK6Q60W,S1VQ.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.7V @ 310µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | I-Pak |
| Serie: | DTMOSIV |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 820 mOhm @ 3.1A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 60W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Altri nomi: | TK6Q60W,S1VQ(S TK6Q60WS1VQ |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 12 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | TK6Q60W,S1VQ |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 390pF @ 300V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 12nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | Super Junction |
| Descrizione espansione: | N-Channel 600V 6.2A (Ta) 60W (Tc) Through Hole I-Pak |
| Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
| Descrizione: | MOSFET N CH 600V 6.2A IPAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 6.2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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