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US6J11TR
- Modello di prodotti:
- US6J11TR
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14542 Pieces
- Scheda dati:
- US6J11TR.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 1mA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | UMT6 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 260 mOhm @ 1.3A, 4.5V |
| Potenza - Max: | 320mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | US6J11TR |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 290pF @ 6V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.4nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 1.3A 320mW Surface Mount UMT6 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 12V |
| Descrizione: | MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 1.3A |
| Email: | [email protected] |
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