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ZXMN10A07FTA
- Modello di prodotti:
- ZXMN10A07FTA
- fabbricante:
- Diodes Incorporated
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13977 Pieces
- Scheda dati:
- ZXMN10A07FTA.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SOT-23-3 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 700 mOhm @ 1.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 625mW (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Altri nomi: | ZXMN10A07FTR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | ZXMN10A07FTA |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 138pF @ 50V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.9nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 100V 700mA (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 6V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 700mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per ZXMN10A07FTA
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
ZXMN10A07FTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3 | Inchiesta |
 |
ZXMN10B08E6TC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6 | Inchiesta |
 |
ZXMN10A08GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2A SOT223 | Inchiesta |
|
ZXMN10A08E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6 | Inchiesta |
 |
ZXMN10A25K | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK | Inchiesta |
 |
ZXMN10A08DN8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC | Inchiesta |
|
ZXMN10A08DN8TC | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC | Inchiesta |
|
ZXMN10A25KTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK | Inchiesta |
 |
ZXMN10A07ZTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89 | Inchiesta |
|
ZXMN10A09KTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 5A DPAK | Inchiesta |
|
ZXMN10A08E6TC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23-6 | Inchiesta |
|
ZXMN10B08E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6 | Inchiesta |
|
ZXMN10A11GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223 | Inchiesta |
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