ZXMN10A11GTA
ZXMN10A11GTA
Modello di prodotti:
ZXMN10A11GTA
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19209 Pieces
Scheda dati:
ZXMN10A11GTA.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-223
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:350 mOhm @ 2.6A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-261-4, TO-261AA
Altri nomi:ZXMN10A11GTR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
codice articolo del costruttore:ZXMN10A11GTA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:274pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:5.4nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 1.7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:1.7A (Ta)
Email:[email protected]

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