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2SK1119(F)
- Modello di prodotti:
- 2SK1119(F)
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12200 Pieces
- Scheda dati:
- 1.2SK1119(F).pdf2.2SK1119(F).pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.5V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220AB |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 3.8 Ohm @ 2A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 100W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | 2SK1119(F) |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 700pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 60nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 1000V (1kV) 4A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Tensione drain-source (Vdss): | 1000V (1kV) |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 4A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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