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APT80SM120B
- Modello di prodotti:
- APT80SM120B
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- POWER MOSFET - SIC
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19810 Pieces
- Scheda dati:
- APT80SM120B.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per APT80SM120B, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per APT80SM120B via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-247 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 55 mOhm @ 40A, 20V |
| Dissipazione di potenza (max): | 555W (Tc) |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 22 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | APT80SM120B |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 235nC @ 20V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 1200V (1.2kV) 80A (Tc) 555W (Tc) Through Hole TO-247 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| Descrizione: | POWER MOSFET - SIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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