APT80SM120S
Modello di prodotti:
APT80SM120S
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
POWER MOSFET - SIC
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16025 Pieces
Scheda dati:
APT80SM120S.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 1mA
Tecnologia:SiCFET (Silicon Carbide)
Contenitore dispositivo fornitore:D3Pak
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:55 mOhm @ 40A, 20V
Dissipazione di potenza (max):625W (Tc)
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:22 Weeks
codice articolo del costruttore:APT80SM120S
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:235nC @ 20V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 1200V (1.2kV) 80A (Tc) 625W (Tc) Surface Mount D3Pak
Tensione drain-source (Vdss):1200V (1.2kV)
Descrizione:POWER MOSFET - SIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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