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APT80SM120J
- Modello di prodotti:
- APT80SM120J
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- POWER MOSFET - SIC
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15216 Pieces
- Scheda dati:
- APT80SM120J.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SOT-227 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 55 mOhm @ 40A, 20V |
| Dissipazione di potenza (max): | 273W (Tc) |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | SOT-227-4, miniBLOC |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Chassis Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 22 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | APT80SM120J |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 235nC @ 20V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 1200V (1.2kV) 51A (Tc) 273W (Tc) Chassis Mount SOT-227 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| Descrizione: | POWER MOSFET - SIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 51A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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