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APTC60DAM35T1G
- Modello di prodotti:
- APTC60DAM35T1G
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 600V 72A SP1
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19024 Pieces
- Scheda dati:
- 1.APTC60DAM35T1G.pdf2.APTC60DAM35T1G.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.9V @ 5.4mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SP1 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 35 mOhm @ 72A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 416W (Tc) |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | SP1 |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Chassis Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | APTC60DAM35T1G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 14000pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 518nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 600V 72A 416W (Tc) Chassis Mount SP1 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 600V 72A SP1 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 72A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APTC60DAM35T1G
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