APTM100UM65DAG
Modello di prodotti:
APTM100UM65DAG
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET N-CH 1000V 145A SP6
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15764 Pieces
Scheda dati:
1.APTM100UM65DAG.pdf2.APTM100UM65DAG.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 20mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SP6
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:78 mOhm @ 72.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3250W (Tc)
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:SP6
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Chassis Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:22 Weeks
codice articolo del costruttore:APTM100UM65DAG
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:28500pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:1068nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 1000V (1kV) 145A 3250W (Tc) Chassis Mount SP6
Tensione drain-source (Vdss):1000V (1kV)
Descrizione:MOSFET N-CH 1000V 145A SP6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:145A
Email:[email protected]

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