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APTM100UM45DAG
- Modello di prodotti:
- APTM100UM45DAG
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 1000V 215A SP6
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18773 Pieces
- Scheda dati:
- 1.APTM100UM45DAG.pdf2.APTM100UM45DAG.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 30mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SP6 |
| Serie: | POWER MOS 7® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 52 mOhm @ 107.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 5000W (Tc) |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | SP6 |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Chassis Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 22 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | APTM100UM45DAG |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 42700pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 1602nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 1000V (1kV) 215A 5000W (Tc) Chassis Mount SP6 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 1000V (1kV) |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 1000V 215A SP6 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 215A |
| Email: | [email protected] |
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