APTM10DHM09TG
Modello di prodotti:
APTM10DHM09TG
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 100V 139A SP4
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19784 Pieces
Scheda dati:
APTM10DHM09TG.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 2.5mA
Contenitore dispositivo fornitore:SP4
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:10 mOhm @ 69.5A, 10V
Potenza - Max:390W
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:SP4
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Chassis Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:APTM10DHM09TG
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:9875pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:350nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Caratteristica FET:Standard
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 100V 139A 390W Chassis Mount SP4
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET 2N-CH 100V 139A SP4
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:139A
Email:[email protected]

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