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APTM10TDUM19PG
- Modello di prodotti:
- APTM10TDUM19PG
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13442 Pieces
- Scheda dati:
- APTM10TDUM19PG.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | SP6-P |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 21 mOhm @ 35A, 10V |
| Potenza - Max: | 208W |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | SP6 |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Chassis Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | APTM10TDUM19PG |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 5100pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 200nC @ 10V |
| Tipo FET: | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| Caratteristica FET: | Standard |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 70A 208W Chassis Mount SP6-P |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 70A |
| Email: | [email protected] |
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