APTM50DSK10T3G
Modello di prodotti:
APTM50DSK10T3G
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19110 Pieces
Scheda dati:
1.APTM50DSK10T3G.pdf2.APTM50DSK10T3G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 1mA
Contenitore dispositivo fornitore:SP3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:120 mOhm @ 18.5A, 10V
Potenza - Max:312W
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:SP3
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Chassis Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:22 Weeks
codice articolo del costruttore:APTM50DSK10T3G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:4367pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:96nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Standard
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 500V 37A 312W Chassis Mount SP3
Tensione drain-source (Vdss):500V
Descrizione:MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:37A
Email:[email protected]

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