APTM50H15FT1G
Modello di prodotti:
APTM50H15FT1G
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET 4N-CH 500V 25A SP1
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12041 Pieces
Scheda dati:
1.APTM50H15FT1G.pdf2.APTM50H15FT1G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 1mA
Contenitore dispositivo fornitore:SP1
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:180 mOhm @ 21A, 10V
Potenza - Max:208W
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:SP1
Altri nomi:APTM50H15UT1G
APTM50H15UT1G-ND
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Chassis Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:22 Weeks
codice articolo del costruttore:APTM50H15FT1G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:5448pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:170nC @ 10V
Tipo FET:4 N-Channel (H-Bridge)
Caratteristica FET:Standard
Descrizione espansione:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 500V 25A 208W Chassis Mount SP1
Tensione drain-source (Vdss):500V
Descrizione:MOSFET 4N-CH 500V 25A SP1
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:25A
Email:[email protected]

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