DMN13H750S-13
DMN13H750S-13
Modello di prodotti:
DMN13H750S-13
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15661 Pieces
Scheda dati:
DMN13H750S-13.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-23
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:750 mOhm @ 2A, 10V
Dissipazione di potenza (max):770mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi:DMN13H750S-13DI
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
codice articolo del costruttore:DMN13H750S-13
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:231pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:5.6nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 130V 1A (Ta) 770mW (Ta) Surface Mount SOT-23
Tensione drain-source (Vdss):130V
Descrizione:MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:1A (Ta)
Email:[email protected]

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