DMN2010UDZ-7
DMN2010UDZ-7
Modello di prodotti:
DMN2010UDZ-7
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12974 Pieces
Scheda dati:
DMN2010UDZ-7.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.5V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:U-DFN2535-6
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:7 mOhm @ 5.5A, 4.5V
Potenza - Max:700mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-UDFN Exposed Pad
Altri nomi:DMN2010UDZ-7-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:DMN2010UDZ-7
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2665pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:33.2nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FET:Standard
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 24V 11A 700mW Surface Mount U-DFN2535-6
Tensione drain-source (Vdss):24V
Descrizione:MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:11A
Email:[email protected]

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