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DMN2011UFX-7
- Modello di prodotti:
- DMN2011UFX-7
- fabbricante:
- Diodes Incorporated
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12805 Pieces
- Scheda dati:
- DMN2011UFX-7.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per DMN2011UFX-7, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per DMN2011UFX-7 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | V-DFN2050-4 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 9.5 mOhm @ 10A, 4.5V |
| Potenza - Max: | 2.1W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 4-VFDFN Exposed Pad |
| Altri nomi: | DMN2011UFX-7DITR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | DMN2011UFX-7 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2248pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 56nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Standard |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 12.2A (Ta) 2.1W Surface Mount V-DFN2050-4 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 12.2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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