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DMN2013UFDE-7
- Modello di prodotti:
- DMN2013UFDE-7
- fabbricante:
- Diodes Incorporated
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18054 Pieces
- Scheda dati:
- DMN2013UFDE-7.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.1V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | U-DFN2020-6 (Type E) |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 11 mOhm @ 8.5A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 660mW (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 6-UDFN Exposed Pad |
| Altri nomi: | DMN2013UFDE-7DITR DMN2013UFDE7 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | DMN2013UFDE-7 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2453pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 25.8nC @ 8V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 20V 10.5A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E) |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 10.5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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