Acquistare GA20JT12-263 con BYCHPS
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Vgs (th) (max) a Id: | - |
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Vgs (Max): | 3.44V |
Tecnologia: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Contenitore dispositivo fornitore: | - |
Serie: | - |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 60 mOhm @ 20A |
Dissipazione di potenza (max): | 282W (Tc) |
imballaggio: | - |
Contenitore / involucro: | - |
Altri nomi: | 1242-1189 GA20JT12-247ISO GA20JT12247ISO |
temperatura di esercizio: | 175°C (TJ) |
Tipo montaggio: | - |
Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard: | 18 Weeks |
codice articolo del costruttore: | GA20JT12-263 |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 3091pF @ 800V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
Tipo FET: | - |
Caratteristica FET: | - |
Descrizione espansione: | 1200V (1.2kV) 45A (Tc) 282W (Tc) |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | - |
Tensione drain-source (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
Descrizione: | TRANS SJT 1200V 45A |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 45A (Tc) |
Email: | [email protected] |