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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > EPC8004
EPC8004
EPC8004
Modello di prodotti:
EPC8004
fabbricante:
EPC
Descrizione:
TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14281 Pieces
Scheda dati:
1.EPC8004.pdf2.EPC8004.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):+6V, -4V
Tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Contenitore dispositivo fornitore:Die
Serie:eGaN®
Rds On (max) a Id, Vgs:110 mOhm @ 500mA, 5V
Dissipazione di potenza (max):-
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:Die
Altri nomi:917-1072-2
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:14 Weeks
codice articolo del costruttore:EPC8004
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:52pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:0.45nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 40V 2.7A (Ta) Surface Mount Die
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):5V
Tensione drain-source (Vdss):40V
Descrizione:TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2.7A (Ta)
Email:[email protected]

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Parti relative per EPC8004

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
EPC8007ENGR Image EPC8007ENGR EPC TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE Inchiesta
EPC8004ENGR Image EPC8004ENGR EPC TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE Inchiesta
EPC8005ENGR Image EPC8005ENGR EPC TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE Inchiesta
EPC8009 Image EPC8009 EPC TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE Inchiesta
EPC8002ENGR Image EPC8002ENGR EPC TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE Inchiesta
EPC8010 Image EPC8010 EPC TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE Inchiesta
EPC8002 Image EPC8002 EPC TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE Inchiesta
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