GA20SICP12-247
GA20SICP12-247
Modello di prodotti:
GA20SICP12-247
fabbricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrizione:
TRANS SJT 1200V 45A TO247
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12821 Pieces
Scheda dati:
GA20SICP12-247.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:-
Tecnologia:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-247AB
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:50 mOhm @ 20A
Dissipazione di potenza (max):282W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:18 Weeks
codice articolo del costruttore:GA20SICP12-247
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3091pF @ 800V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:-
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:1200V (1.2kV) 45A (Tc) 282W (Tc) Through Hole TO-247AB
Tensione drain-source (Vdss):1200V (1.2kV)
Descrizione:TRANS SJT 1200V 45A TO247
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:45A (Tc)
Email:[email protected]

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