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IPB12CNE8N G
- Modello di prodotti:
- IPB12CNE8N G
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 85V 67A TO263-3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16127 Pieces
- Scheda dati:
- IPB12CNE8N G.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IPB12CNE8N G, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IPB12CNE8N G via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 83µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO263-2 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 12.9 mOhm @ 67A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 125W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi: | SP000096451 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IPB12CNE8N G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 4340pF @ 40V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 64nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 85V 67A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 85V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 85V 67A TO263-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 67A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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