IPU04N03LB G
IPU04N03LB G
Modello di prodotti:
IPU04N03LB G
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17599 Pieces
Scheda dati:
IPU04N03LB G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 70µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:P-TO251-3
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:4.3 mOhm @ 50A, 10V
Dissipazione di potenza (max):115W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Altri nomi:IPU04N03LBGX
SP000220463
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):3 (168 Hours)
codice articolo del costruttore:IPU04N03LB G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:5200pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:40nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 50A (Tc) 115W (Tc) Through Hole P-TO251-3
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

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