IRF5810
IRF5810
Modello di prodotti:
IRF5810
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
12225 Pieces
Scheda dati:
IRF5810.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.2V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:6-TSOP
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:90 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Potenza - Max:960mW
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IRF5810
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:650pF @ 16V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:9.6nC @ 4.5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.9A 960mW Surface Mount 6-TSOP
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2.9A
Email:[email protected]

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