IRFB3006GPBF
IRFB3006GPBF
Modello di prodotti:
IRFB3006GPBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14723 Pieces
Scheda dati:
IRFB3006GPBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220AB
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:2.5 mOhm @ 170A, 10V
Dissipazione di potenza (max):375W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:SP001577692
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IRFB3006GPBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:8970pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:300nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:195A (Tc)
Email:[email protected]

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