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IXFL38N100Q2
- Modello di prodotti:
- IXFL38N100Q2
- fabbricante:
- IXYS Corporation
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17786 Pieces
- Scheda dati:
- IXFL38N100Q2.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 5.5V @ 8mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | ISOPLUS264™ |
| Serie: | HiPerFET™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 280 mOhm @ 19A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 380W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | ISOPLUS264™ |
| Altri nomi: | 614235 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 8 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IXFL38N100Q2 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 13500pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 250nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 1000V (1kV) 29A (Tc) 380W (Tc) Through Hole ISOPLUS264™ |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 1000V (1kV) |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 29A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IXFL38N100Q2
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
SI7174DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 75V 60A PPAK SO-8 | Inchiesta |
 |
IXFL38N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 29A I5-PAK | Inchiesta |
 |
IXFL34N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS264 | Inchiesta |
 |
EPC8002 | EPC | TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE | Inchiesta |
|
IXFL39N90 | IXYS | MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS264 | Inchiesta |
|
IXFL32N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 24A I5-PAK | Inchiesta |
|
SIR476DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8 | Inchiesta |
 |
ZXMN2A01FTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3 | Inchiesta |
 |
ECH8320-TL-H | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 9.5A ECH8 | Inchiesta |
 |
BSS84LT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 | Inchiesta |
 |
DMP6185SE-7 | Diodes Incorporated | MOSFET PCH 60V 3A SOT223 | Inchiesta |
 |
FQI8N60CTU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK | Inchiesta |
 |
IPA60R600E6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220 | Inchiesta |
 |
NTMFS4936NCT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 11.6A SO-8FL | Inchiesta |
 |
IXFH26N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 26A TO-247 | Inchiesta |
|
IXFL30N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 18A I5-PAK | Inchiesta |
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