EPC8002
EPC8002
Modello di prodotti:
EPC8002
fabbricante:
EPC
Descrizione:
TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15381 Pieces
Scheda dati:
1.EPC8002.pdf2.EPC8002.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):+6V, -4V
Tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Contenitore dispositivo fornitore:Die
Serie:eGaN®
Rds On (max) a Id, Vgs:530 mOhm @ 500mA, 5V
Dissipazione di potenza (max):-
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:Die
Altri nomi:917-1118-2
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:14 Weeks
codice articolo del costruttore:EPC8002
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:21pF @ 32.5V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 65V 2A (Ta) Surface Mount Die
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):5V
Tensione drain-source (Vdss):65V
Descrizione:TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2A (Ta)
Email:[email protected]

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