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IXTN200N10L2
- Modello di prodotti:
- IXTN200N10L2
- fabbricante:
- IXYS Corporation
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 100V 178A SOT-227
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 20069 Pieces
- Scheda dati:
- IXTN200N10L2.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IXTN200N10L2, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IXTN200N10L2 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4.5V @ 3mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SOT-227B |
| Serie: | Linear L2™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 11 mOhm @ 100A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 830W (Tc) |
| imballaggio: | - |
| Contenitore / involucro: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Altri nomi: | 624413 Q5211084 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Chassis Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 8 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IXTN200N10L2 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 23000pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 540nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 100V 178A 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 178A SOT-227 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 178A |
| Email: | [email protected] |
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