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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXTN22N100L
IXTN22N100L
IXTN22N100L
Modello di prodotti:
IXTN22N100L
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 1000V 22A SOT-227
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12797 Pieces
Scheda dati:
IXTN22N100L.pdf
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introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5.5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-227B
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:600 mOhm @ 11A, 20V
Dissipazione di potenza (max):700W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:SOT-227-4, miniBLOC
Altri nomi:611085
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Chassis Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IXTN22N100L
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:7050pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:270nC @ 15V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 1000V (1kV) 22A 700W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):20V
Tensione drain-source (Vdss):1000V (1kV)
Descrizione:MOSFET N-CH 1000V 22A SOT-227
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:22A
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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