NDDL01N60Z-1G
NDDL01N60Z-1G
Modello di prodotti:
NDDL01N60Z-1G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 0.8A IPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13053 Pieces
Scheda dati:
NDDL01N60Z-1G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 50µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:IPAK (TO-251)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:15 Ohm @ 400mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):26W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):3 (168 Hours)
Produttore tempi di consegna standard:4 Weeks
codice articolo del costruttore:NDDL01N60Z-1G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:92pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:4.9nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 800mA (Ta) 26W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 0.8A IPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:800mA (Ta)
Email:[email protected]

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