RJK6013DPP-E0#T2
RJK6013DPP-E0#T2
Modello di prodotti:
RJK6013DPP-E0#T2
fabbricante:
Renesas Electronics America
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15824 Pieces
Scheda dati:
RJK6013DPP-E0#T2.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:-
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220FP
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:700 mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):30W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3 Full Pack
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:RJK6013DPP-E0#T2
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1450pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:37.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 11A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220FP
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 11A TO220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:11A (Ta)
Email:[email protected]

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