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SI4920DY-T1-E3
- Modello di prodotti:
- SI4920DY-T1-E3
- fabbricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16262 Pieces
- Scheda dati:
- SI4920DY-T1-E3.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 250µA (Min) |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SO |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 25 mOhm @ 6.9A, 10V |
| Potenza - Max: | 2W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi: | SI4920DY-T1-E3-ND SI4920DY-T1-E3TR SI4920DYT1E3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | SI4920DY-T1-E3 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 23nC @ 5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2W Surface Mount 8-SO |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per SI4920DY-T1-E3
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