SIZ728DT-T1-GE3
SIZ728DT-T1-GE3
Modello di prodotti:
SIZ728DT-T1-GE3
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 25V 16A 6-POWERPAIR
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12818 Pieces
Scheda dati:
SIZ728DT-T1-GE3.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.2V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:6-PowerPair™
Serie:TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:7.7 mOhm @ 18A, 10V
Potenza - Max:27W, 48W
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:6-PowerPair™
Altri nomi:SIZ728DT-T1-GE3DKR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:24 Weeks
codice articolo del costruttore:SIZ728DT-T1-GE3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:890pF @ 12.5V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:26nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 25V 16A, 35A 27W, 48W Surface Mount 6-PowerPair™
Tensione drain-source (Vdss):25V
Descrizione:MOSFET 2N-CH 25V 16A 6-POWERPAIR
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:16A, 35A
Email:[email protected]

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