SPP08P06PHXKSA1
SPP08P06PHXKSA1
Modello di prodotti:
SPP08P06PHXKSA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-220
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14150 Pieces
Scheda dati:
SPP08P06PHXKSA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO-220-3
Serie:SIPMOS®
Rds On (max) a Id, Vgs:300 mOhm @ 6.2A, 10V
Dissipazione di potenza (max):42W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:SP000446908
SPP08P06P G
SPP08P06P G-ND
SPP08P06P H
SPP08P06P H-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:SPP08P06PHXKSA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:420pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 60V 8.8A (Tc) 42W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:8.8A (Tc)
Email:[email protected]

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