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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > SSM3K106TU(TE85L)
SSM3K106TU(TE85L)
SSM3K106TU(TE85L)
Modello di prodotti:
SSM3K106TU(TE85L)
fabbricante:
Toshiba Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 20V 1.2A UFM
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15594 Pieces
Scheda dati:
1.SSM3K106TU(TE85L).pdf2.SSM3K106TU(TE85L).pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.3V @ 100µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:UFM
Serie:π-MOSVI
Rds On (max) a Id, Vgs:310 mOhm @ 600mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):500mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:3-SMD, Flat Leads
Altri nomi:SSM3K106TU(TE85L)TR
SSM3K106TUTE85L
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:SSM3K106TU(TE85L)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:36pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 20V 1.2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFM
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET N-CH 20V 1.2A UFM
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:1.2A (Ta)
Email:[email protected]

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