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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > SSM3K15AFS,LF
SSM3K15AFS,LF
SSM3K15AFS,LF
Modello di prodotti:
SSM3K15AFS,LF
fabbricante:
Toshiba Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 0.1A SSM
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12221 Pieces
Scheda dati:
SSM3K15AFS,LF.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.5V @ 100µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SSM
Serie:U-MOSIII
Rds On (max) a Id, Vgs:3.6 Ohm @ 10mA, 4V
Dissipazione di potenza (max):100mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SC-75, SOT-416
Altri nomi:SSM3K15AFS,LF(B
SSM3K15AFS,LF(D
SSM3K15AFS,LF(T
SSM3K15AFSLF
SSM3K15AFSLF(D
SSM3K15AFSLF(D-ND
SSM3K15AFSLFTR
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:SSM3K15AFS,LF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:13.5pF @ 3V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 100mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount SSM
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 0.1A SSM
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:100mA (Ta)
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
SSM3K15AMFV,L3F Image SSM3K15AMFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 30V 0.1A U-MOS III Inchiesta
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SSM3K16FU,LF Image SSM3K16FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 20V 0.1A USM Inchiesta
SSM3K15ACT(TPL3) Image SSM3K15ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3 Inchiesta
SSM3K17SU,LF(D Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 50V 100MA USM Inchiesta
SSM3K123TU,LF Image SSM3K123TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM Inchiesta
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