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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > SSM3K16CT(TPL3)
SSM3K16CT(TPL3)
SSM3K16CT(TPL3)
Modello di prodotti:
SSM3K16CT(TPL3)
fabbricante:
Toshiba Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 20V 0.1A CST3 S-MOS
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17611 Pieces
Scheda dati:
SSM3K16CT(TPL3).pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.1V @ 100µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:CST3
Serie:π-MOSVI
Rds On (max) a Id, Vgs:3 Ohm @ 10mA, 4V
Dissipazione di potenza (max):100mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SC-101, SOT-883
Altri nomi:SSM3K16CT (TPL3)
SSM3K16CT(TPL3)TR
SSM3K16CTTPL3
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:SSM3K16CT(TPL3)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:9.3pF @ 3V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 20V 100mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount CST3
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET N-CH 20V 0.1A CST3 S-MOS
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:100mA (Ta)
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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