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SSM6N48FU,RF(D
- Modello di prodotti:
- SSM6N48FU,RF(D
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 30V 0.1A
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18025 Pieces
- Scheda dati:
- SSM6N48FU,RF(D.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.5V @ 100µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | US6 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 3.2 Ohm @ 10mA, 4V |
| Potenza - Max: | 300mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Altri nomi: | SSM6N48FURF(D |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | SSM6N48FU,RF(D |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 15.1pF @ 3V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 100mA (Ta) 300mW Surface Mount US6 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 30V 0.1A |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 100mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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