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SSM6N56FE,LM
- Modello di prodotti:
- SSM6N56FE,LM
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 20V 0.8A
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15856 Pieces
- Scheda dati:
- SSM6N56FE,LM.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 1mA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | ES6 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 235 mOhm @ 800mA, 4.5V |
| Potenza - Max: | 150mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-563, SOT-666 |
| Altri nomi: | SSM6N56FE,LM(B SSM6N56FE,LM(T SSM6N56FELMTR |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | SSM6N56FE,LM |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 55pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 1nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 800mA 150mW Surface Mount ES6 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 20V 0.8A |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 800mA |
| Email: | [email protected] |
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