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STS4C3F60L
- Modello di prodotti:
- STS4C3F60L
- fabbricante:
- ST
- Descrizione:
- MOSFET N/P-CH 60V 4A/3A 8SOIC
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17595 Pieces
- Scheda dati:
- STS4C3F60L.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SO |
| Serie: | STripFET™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 55 mOhm @ 2A, 10V |
| Potenza - Max: | 2W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi: | 497-4396-2 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | STS4C3F60L |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1030pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 20.4nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array N and P-Channel 60V 4A, 3A 2W Surface Mount 8-SO |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione: | MOSFET N/P-CH 60V 4A/3A 8SOIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 4A, 3A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per STS4C3F60L
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
IPG20N04S412ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | Inchiesta |
 |
APTM10HM09FT3G | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3 | Inchiesta |
 |
SM6K2T110 | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT-457 | Inchiesta |
 |
FDG6301N_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6 | Inchiesta |
 |
STL20DNF06LAG | STMicroelectronics | MOSFET 2NCH 60V 20A POWERFLAT | Inchiesta |
 |
TT8J2TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 2.5A TSST8 | Inchiesta |
 |
ZXMN2A04DN8TC | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC | Inchiesta |
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