Acquistare STSJ60NH3LL con BYCHPS
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Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 250µA |
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Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SOIC-EP |
Serie: | STripFET™ |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 5.7 mOhm @ 7.5A, 10V |
Dissipazione di potenza (max): | 3W (Ta), 50W (Tc) |
imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
Altri nomi: | 497-5252-2 |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Surface Mount |
Livello di sensibilità umidità (MSL): | 3 (168 Hours) |
codice articolo del costruttore: | STSJ60NH3LL |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1810pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 24nC @ 4.5V |
Tipo FET: | N-Channel |
Caratteristica FET: | - |
Descrizione espansione: | N-Channel 30V 60A (Tc) 3W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount 8-SOIC-EP |
Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
Descrizione: | MOSFET N-CH 30V 15A 8-PWRSOIC |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 60A (Tc) |
Email: | [email protected] |