TPH3207WS
TPH3207WS
Modello di prodotti:
TPH3207WS
fabbricante:
Transphorm
Descrizione:
GAN FET 650V 50A TO247
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15642 Pieces
Scheda dati:
TPH3207WS.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.65V @ 700µA
Vgs (Max):±18V
Tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-247
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:41 mOhm @ 32A, 8V
Dissipazione di potenza (max):178W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:14 Weeks
codice articolo del costruttore:TPH3207WS
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2197pF @ 400V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:42nC @ 8V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 650V 50A (Tc) 178W (Tc) Through Hole TO-247
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):-
Tensione drain-source (Vdss):650V
Descrizione:GAN FET 650V 50A TO247
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

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