Acquistare TJ15S06M3L(T6L1,NQ con BYCHPS
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Vgs (th) (max) a Id: | 3V @ 1mA |
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Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore: | DPAK+ |
Serie: | U-MOSVI |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 50 mOhm @ 7.5A, 10V |
Dissipazione di potenza (max): | 41W (Tc) |
imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Altri nomi: | TJ15S06M3L(T6L1NQ TJ15S06M3LT6L1NQ |
temperatura di esercizio: | 175°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Surface Mount |
Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
codice articolo del costruttore: | TJ15S06M3L(T6L1,NQ |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1770pF @ 10V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 36nC @ 10V |
Tipo FET: | P-Channel |
Caratteristica FET: | - |
Descrizione espansione: | P-Channel 60V 15A (Ta) 41W (Tc) Surface Mount DPAK+ |
Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
Descrizione: | MOSFET P-CH 60V 15A DPAK-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 15A (Ta) |
Email: | [email protected] |