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TK7J90E,S1E
- Modello di prodotti:
- TK7J90E,S1E
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 900V TO-3PN
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18192 Pieces
- Scheda dati:
- TK7J90E,S1E.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 700µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-3P(N) |
| Serie: | π-MOSVIII |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 2 Ohm @ 3.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 200W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Altri nomi: | TK7J90E,S1E(S TK7J90ES1E |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 12 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | TK7J90E,S1E |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1350pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 32nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 900V 7A (Ta) 200W (Tc) Through Hole TO-3P(N) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 900V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 900V TO-3PN |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 7A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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