TPC8221-H,LQ(S
TPC8221-H,LQ(S
Modello di prodotti:
TPC8221-H,LQ(S
fabbricante:
Toshiba Semiconductor
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17166 Pieces
Scheda dati:
1.TPC8221-H,LQ(S.pdf2.TPC8221-H,LQ(S.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.3V @ 100µA
Contenitore dispositivo fornitore:8-SOP
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:25 mOhm @ 3A, 10V
Potenza - Max:450mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi:TPC8221-HLQ(S
TPC8221HLQS
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:TPC8221-H,LQ(S
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:830pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Standard
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 450mW Surface Mount 8-SOP
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:6A
Email:[email protected]

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