TPH3205WSBQA
Modello di prodotti:
TPH3205WSBQA
fabbricante:
Transphorm
Descrizione:
GAN FET 650V 35A TO247
quantità disponibile:
14464 Pieces
Scheda dati:
1.TPH3205WSBQA.pdf2.TPH3205WSBQA.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.6V @ 700µA
Vgs (Max):±18V
Tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-247
Serie:Automotive, AEC-Q101
Rds On (max) a Id, Vgs:62 mOhm @ 22A, 8V
Dissipazione di potenza (max):125W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
codice articolo del costruttore:TPH3205WSBQA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2200pF @ 400V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:42nC @ 8V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 650V 35A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):-
Tensione drain-source (Vdss):650V
Descrizione:GAN FET 650V 35A TO247
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:35A (Tc)
Email:[email protected]

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