Acquistare TPH3206LSB con BYCHPS
Acquista con garanzia
TPH3206LSB
- Modello di prodotti:
- TPH3206LSB
- fabbricante:
- Transphorm
- Descrizione:
- GAN FET 650V 16A PQFN88
- quantità disponibile:
- 13416 Pieces
- Scheda dati:
- TPH3206LSB.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per TPH3206LSB, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per TPH3206LSB via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.6V @ 500µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±18V |
| Tecnologia: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PQFN (8x8) |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 180 mOhm @ 11A, 8V |
| Dissipazione di potenza (max): | 81W (Tc) |
| Contenitore / involucro: | 3-PowerDFN |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | TPH3206LSB |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 760pF @ 480V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 9.3nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 650V 16A (Tc) 81W (Tc) Surface Mount PQFN (8x8) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | - |
| Tensione drain-source (Vdss): | 650V |
| Descrizione: | GAN FET 650V 16A PQFN88 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 16A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per TPH3206LSB
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
TPH3208LDG | Transphorm | GAN FET 650V 20A PQFN88 | Inchiesta |
|
TPH3206LDGB | Transphorm | GAN FET 650V 16A PQFN88 | Inchiesta |
 |
TPH3206PD | Transphorm | GAN FET 600V 17A TO220 | Inchiesta |
 |
TPH3206LD | Transphorm | GAN FET 600V 17A PQFN88 | Inchiesta |
 |
TPH3205WSBQA | Transphorm | GAN FET 650V 35A TO247 | Inchiesta |
 |
TPH3207WS | Transphorm | GAN FET 650V 50A TO247 | Inchiesta |
 |
TPH3206LS | Transphorm | GAN FET 600V 17A PQFN88 | Inchiesta |
|
TPH3206LDB | Transphorm | GAN FET 650V 16A PQFN88 | Inchiesta |
|
TPH3206PSB | Transphorm | GAN FET 650V 16A TO220 | Inchiesta |
|
TPH3202PS | Transphorm | GAN FET 600V 9A TO220 | Inchiesta |
|
TPH3206PS | Transphorm | GAN FET 600V 17A TO220 | Inchiesta |
|
TPH3205WSB | Transphorm | GAN FET 650V 36A TO247 | Inchiesta |
|
TPH3208LS | Transphorm | GAN FET 650V 20A PQFN88 | Inchiesta |
|
TPH3202LS | Transphorm | GAN FET 600V 9A PQFN88 | Inchiesta |
|
TPH3202PD | Transphorm | GAN FET 600V 9A TO220 | Inchiesta |
Latest Notizie
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers