ZXMN2A02N8TA
ZXMN2A02N8TA
Modello di prodotti:
ZXMN2A02N8TA
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19292 Pieces
Scheda dati:
ZXMN2A02N8TA.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:700mV @ 250µA
Vgs (Max):±12V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-SO
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:20 mOhm @ 11A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):1.56W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi:ZXMN2A02N8TR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
codice articolo del costruttore:ZXMN2A02N8TA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1900pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:18.9nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 20V 8.3A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SO
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:8.3A (Ta)
Email:[email protected]

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