ZXMN2A02X8TA
ZXMN2A02X8TA
Modello di prodotti:
ZXMN2A02X8TA
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19889 Pieces
Scheda dati:
ZXMN2A02X8TA.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:700mV @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-MSOP
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:20 mOhm @ 11A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):1.1W (Ta)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Altri nomi:1034-ZXMN2A02X8DKR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:ZXMN2A02X8TA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1900pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:18.6nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 20V 6.2A (Ta) 1.1W (Ta) 8-MSOP
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:6.2A (Ta)
Email:[email protected]

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